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近年來(lái),隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng),硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯,如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點(diǎn)關(guān)注的問題,以碳化硅為.....
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